講演情報

11:30 〜 11:45

[8a-A13-10]ミストCVD法によるITO:Al薄膜の作製と構造評価

〇遠藤穂野香¹、一戸善弘¹ (1.北科大)

ミストCVD、酸化アルミニウム、ITO

本研究では、透明電極材料の高性能化とIn使用量低減を目的に、Mist-CVDでAlを導入したITO:Al薄膜を作製した。XRDではAl添加に伴う格子収縮が確認され、EDSでは膜中のAl層が増加した。一方で、検出されたAlの一部は結晶に置換しておらず、アモルファス成分として存在する可能性が示された。