講演情報
[8a-A13-3]大気アニールによる透明導電性アナターゼ型NbドープTiO2薄膜の作製
〇清水 亮太1、三浦 弓恵2、簾 智仁2、小林 成2、中尾 祥一郎2、長谷川 哲也2、山田 直臣3、一杉 太郎2 (1.分子研、2.東大院理、3.中部大工)
キーワード：
透明導電酸化物、二酸化チタン、ワイドギャップ半導体
RFスパッタ法により低酸素分圧・無加熱で堆積したNbドープTiO2前駆体薄膜を用い、大気アニールによる透明導電化を実現した。約350°Cでアモルファス相からアナターゼ相への結晶化に伴い抵抗が急減することを確認した。得られた薄膜は、可視光内部透過率90%以上と室温抵抗率1.2×10−3 Ω·cmを両立した。本成果は、大気熱処理による実用的なTNO透明導電膜プロセスの実現可能性を示すものである。