講演情報
[8a-A13-5]正弦波型組成変調 Nb:TiO2エピタキシャル薄膜の創製
〇木村 遼太1、安孫子 優登1、神永 健一1、丸山 信伍1,2、松本 祐司1 (1.東北大院工、2.静岡大院工)
キーワード：
薄膜、酸化物エレクトロニクス、透明導電性酸化物
酸化物薄膜中のキャリア濃度やドーパント分布を空間的に設計することで，均一組成膜や単純なヘテロ膜では得られない特異な電子機能の発現が期待される．本研究では，アナターゼ型NbドープTiO2エピタキシャル薄膜において，深さ方向組成プロファイルを非線形変調へ拡張し，正弦波型組成変調を有する薄膜を作製した．XRDおよびSIMS評価により，設計したNb分布の実現を確認し，任意関数型の組成変調設計の可能性を示した．