[8a-A21-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15

[8a-A21-1] 微細銀ナノ粒子による低温（１００℃以下）焼結材料の生成について

〇森永 智¹、依田 眞一¹、白石 倖也²、徳田 誠² (1.京石ナノ研、2.熊大工)

キーワード：

パワー半導体、窒化物プロセス、SiCプロセス技術

近年、電気自動車や普及に伴い、２００℃級の高温環境や高電圧・大電流下で安定動作するパワー半導体実装技術の高信頼化が求められている。銀ナノ粒子焼結材は、比較的低温で接合可能でありながら、高い熱伝導性、電気伝導性を有することから、SiC・GaNデバイス用ダイアタッチ材として注目されている。次世代実装材料として期待される。本研究では５〜１０ nm程度の微細銀粒子を用い、粒径制御および表面添加剤の最適化により、１００℃以下での焼結・導電化を目指した。