[8a-A21-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[8a-A21-1~10]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年9月8日(火) 9:00 〜 11:45

A21 (情報研究棟)

9:00 〜 9:15

[8a-A21-1]微細銀ナノ粒子による低温（１００℃以下）焼結材料の生成について

〇森永智¹、依田眞一¹、白石倖也²、徳田誠² (1.京石ナノ研、2.熊大工)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[8a-A21-2]Bi₂Te₃系化合物半導体における銀焼結接合部の環境信頼性評価

〇(M1)郷原陽向¹、辻横一¹、桂章皓¹、浜田尚毅¹、岡西音哉¹、廣瀬由紀子¹、菅原徹¹ (1.京工繊大)

9:30 〜 9:45

[8a-A21-3]光ヘテロダイン光熱変位法を用いた太陽光パネル由来Mg₂Si化合物の局所熱物性評価

〇橋本壮大郎¹、鵜殿治彦²、伊藤孝至³、宇佐美徳隆³、福山敦彦¹ (1.宮崎大工、2.茨城大工、3.名古屋大工)

9:45 〜 10:00

[8a-A21-4]60 nmゲートInP-HEMTにおける寄生オーバーラップ容量の定量解析

〇佐々木太郎¹、杉山弘樹¹、星拓也¹、吉屋佑樹¹、尾崎史朗¹、中島史人¹ (1.NTT先デ研)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[8a-A21-5]光励起およびバイアス印加下におけるAlGaN/GaNヘテロ構造の電気化学インピーダンス解析

〇高橋円空¹、赤澤怜明¹、熊倉一英¹、谷保芳孝²、佐藤威友¹ (1.北大量集センター、2.NTT物基研)

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[8a-A21-6]AlNチャネル層上に形成した高Al組成（x>0.4）Al_xGa_1-xN層の光電気化学エッチング

〇赤澤怜明¹、髙橋円空¹、熊倉一英¹、廣木正伸²、谷保芳孝²、平間一行²、佐藤威友¹ (1.北大量集センター、2.NTT物基研)

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[8a-A21-7]ソース接続GaN Polarization Superjunction FETの電流コラプスにくし形PSJ構造が及ぼす影響についての検討

〇小久保瑛斗¹、渡邉浩崇²、出来真斗³、田中敦之²、本田善央^2,3,4、天野浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

11:00 〜 11:15

[8a-A21-8]縦型GaN JBSダイオードの順方向電流–電圧特性に対するTCAD解析によるドリフト層電子移動度の評価

〇北川和輝¹、上杉勉²、堀田昌宏^1,2、加地徹²、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[8a-A21-9]ハライド気相成長(HVPE)GaN縦型p–nダイオードの高耐圧化に向けた深堀垂直メサ構造の検討

〇村山隆¹、西脇千裕¹、井出峻輔¹、伊藤稜真¹、堤美結¹、平山竣也¹、丸繁太一¹、中谷航¹、藤元直樹²、田中敦之²、本田善央^2,3,4、天野浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[8a-A21-10]GaN分極超接合トランジスタの素子分離方法がオフリーク電流に及ぼす影響

〇石本聖治¹、田中敦之¹、小久保瑛斗²、本田善央^1,3,4、天野浩^1,3,4 (1.名大 IMaSS、2.名大院工、3.名大 Dセンター、4.名大 IAR)

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