[8a-A21-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[8a-A21-10] GaN分極超接合トランジスタの素子分離方法がオフリーク電流に及ぼす影響

〇石本 聖治¹、田中 敦之¹、小久保 瑛斗²、本田 善央^1,3,4、天野 浩^1,3,4 (1.名大 IMaSS、2.名大院工、3.名大 Dセンター、4.名大 IAR)

キーワード：

窒化ガリウム、分極超接合

GaN分極超接合（PSJ）トランジスタは、高耐圧化が期待される横型GaNパワーデバイスである。本研究では、メサエッチングおよびBイオン注入による素子分離を用いたGaN PSJ-FETを作製し、オフ状態のリーク電流を比較した。V_GS = −15 V、VDS = 1500 Vにおいて、Bイオン注入分離はゲートリークI_Gの抑制に、メサエッチング分離は非ゲートリークI_D−I_Gの抑制に有効であることが示唆された。