[8a-A21-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[8a-A21-8] 縦型GaN JBSダイオードの順方向電流–電圧特性に対するTCAD解析によるドリフト層電子移動度の評価

〇北川 和輝¹、上杉 勉²、堀田 昌宏^1,2、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

窒化ガリウム(GaN)、電子移動度、縦型JBSダイオード