[8a-A21-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[8a-A21-9] ハライド気相成長(HVPE)GaN縦型p–nダイオードの高耐圧化に向けた深堀垂直メサ構造の検討

〇村山 隆¹、西脇 千裕¹、井出 峻輔¹、伊藤 稜真¹、堤 美結¹、平山 竣也¹、丸繁 太一¹、中谷 航¹、藤元 直樹²、田中 敦之²、本田 善央^2,3,4、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

半導体、HVPE、GaNパワーデバイス

HVPE法は厚膜かつ低ドナー濃度のGaNドリフト層形成が可能であり、高耐圧縦型GaNデバイスへの応用が期待されている。本研究では、耐圧制限要因の一つとして考えられるメサ側壁の影響に着目し、Ni電解メッキを用いた50 µm深堀垂直メサ構造をHVPE-GaN縦型p–nダイオードに適用した。最大2.3 kV超の耐圧を確認した一方、理論耐圧には到達せず、深堀垂直メサ構造を適用した場合においても耐圧制限要因が存在することが示唆された。