[8a-A33-1~11] 17.1 成長・成膜・構造制御

9:00 〜 9:15

[8a-A33-1] 酸素および硫黄雰囲気アニールを用いたPVD-Mo膜からのCVD-MoS₂膜形成

〇野澤 俊輔¹、松永 尚樹¹、ジャン ジェイヒョ¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹ (1.東京科学大)

キーワード：

二硫化モリブデン、遷移金属ダイカルコゲナイド、化学気相成長法

将来のFETのチャネル材料としてMoS₂が注目されている。その成膜方法として、産業応用性の高いMoS₂ターゲットを用いたスパッタ法が研究されているものの、依然として剥離法やCVD 法に匹敵する電気的特性は得られていない。そこで本研究では、スパッタ法により形成したMo 膜を酸素アニールにより酸化させ、最終的に硫黄雰囲気アニールによりMoS₂膜を得る手法(3-step CVD 法)を検討し、バックゲートFETを作製した。