2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.1 成長・成膜・構造制御

[8a-A33-1~11]17.1 成長・成膜・構造制御

2026年9月8日(火) 9:00 〜 12:00
A33 (情報研究棟)
座長：日比野 浩樹(関学大)
遷移金属ダイカルコゲナイド二次元薄膜およびナノチューブの成長と、各種デバイス応用。結晶性評価、成長メカニズム、FETや太陽電池への応用を見据えた電気伝導特性や光学特性の評価に関する研究成果
9:00 〜 9:15

[8a-A33-1]酸素および硫黄雰囲気アニールを用いたPVD-Mo膜からのCVD-MoS2膜形成

〇野澤 俊輔1、松永 尚樹1、ジャン ジェイヒョ1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.東京科学大)
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9:15 〜 9:30

[8a-A33-2]Ar ポストアニールを用いたPVD-MoS2 チャネルFET デバイス

〇松永 尚樹1、ジャン ジェイヒョ1、野澤 俊輔1、布施 太翔1、伊東 壮真1、若林 整1 (1.東京科学大)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[8a-A33-3]ウエハースケール多層MoS2薄膜の作製

〇金 明玉1、岡田 至崇1 (1.東大先端研)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[8a-A33-4]S/MoO3薄膜微細構造の真空加熱によるMoS2の位置選択作製および評価

〇中根 晃紀1、井上 和志1、菊池 健斗1、有賀 ゆい1、末岡 和久1、スバギョ アグス1 (1.北大院情報科学)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[8a-A33-5]原子層堆積法によるWS2薄膜の3次元構造への被覆性評価

〇金子 海紀1、東 奏太1、町田 英明2、石川 真人2、須藤 弘2、若林 整3、澤本 直美1,4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東京科学大、4.明治大MREL)
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10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[8a-A33-6]サファイア上単層WS2のエピタキシャル配向の成長時間依存性

〇村上 隼之亮1,2、榊原 涼太郎1、西野 隆太郎3、岡田 直也3、入沢 寿史3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.産総研)
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10:45 〜 11:00英語発表

[8a-A33-7]Quality Enhancement and Carbon Byproduct Suppression in MOCVD Growth of Monolayer WSe2

〇(PC)Wenjin Zhang1, Yuta Sawai1,2, Ryotaro Sakaibara1, Takahiko Endo1, Yasumitsu Miyata1,2 (1.NIMS, 2.Tokyo Metro. Univ.)
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11:00 〜 11:15

[8a-A33-8]単層MoS2/サファイア界面のX線CTR散乱による構造解析

〇白澤 徹郎1、長田 貴弘2、佐久間 芳樹2 (1.産総研、2.物材機構)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[8a-A33-9]WS2成長テンプレートとしてのNa2WO4/WO3前駆体膜を用いた表面平坦 WxOyナノワイヤの準配向成長と結晶・電気特性評価

〇金崎 郁穂1、伊東 良誠1、林 靖彦1、鈴木 弘朗1 (1.岡大院環境生命自然)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[8a-A33-10]LFMによる単層MoS2のリップル起因摩擦異方性ドメイン解析と結晶方位可視化

〇松本 昂征1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、⾧汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.NIMS)
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11:45 〜 12:00奨励賞エントリー英語発表

[8a-A33-11]Large Area Lateral Alignment of WS2 Nanotubes Enabled by Epitaxial Nanowire Templates

〇(M2)Hongyun Yao1, Ena Hayama1, Sayuki Oka1,2, Kazuki Nagashima1,2, Hiromichi Ohta1,2, Yohei Yomogida1,2 (1.Graduate School of Chemical Sciences and Engineering, Hokkaido University., 2.Nanotechnology Center, Research Institute for Electronic Science.)
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