講演情報
[8a-A33-2]Ar ポストアニールを用いたPVD-MoS2 チャネルFET デバイス
〇松永 尚樹1、ジャン ジェイヒョ1、野澤 俊輔1、布施 太翔1、伊東 壮真1、若林 整1 (1.東京科学大)
キーワード：
二硫化モリブデン、結晶性改善、電界効果トランジスタ
次世代半導体材料として期待されるMoS2の成膜手法として、大面積成膜が可能なスパッタ法が注目されているが、成膜直後の結晶性の低さが課題である。従来の硫黄雰囲気下アニール（SVA）による結晶性改善は、CVD膜に比べ不十分であった。そこで本研究では、PVD膜の結晶性を大幅に向上させるアプローチとして、SVA後にAr雰囲気下アニールを行った。さらに、トップゲートFETを作製し、電気的特性を評価した。