[8a-A33-1~11] 17.1 成長・成膜・構造制御

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[8a-A33-3] ウエハースケール多層MoS₂薄膜の作製

〇金 明玉¹、岡田 至崇¹ (1.東大先端研)

キーワード：

MoS2、大面積成膜、反応性スパッタリング

遷移金属カルコゲナイド層状物質の多層膜は、太陽電池の光吸収層に適した光学・電導特性を有するものの、大面積多層膜の成膜が困難であることから太陽電池への応用に限界があった。そこで本研究は反応性スパッタリングでウエハースケール多層MoS₂薄膜の作製を実証する。約８nmの膜厚のMoS₂薄膜を2インチサファイア基板に成膜し、MoS₂のラテラル成長およびA ,B,Cエキシトンの光吸収特性が観察できた。