[8a-A33-1~11] 17.1 成長・成膜・構造制御

11:00 〜 11:15

[8a-A33-8] 単層MoS₂/サファイア界面のX線CTR散乱による構造解析

〇白澤 徹郎¹、長田 貴弘²、佐久間 芳樹² (1.産総研、2.物材機構)

キーワード：

二流化モリブデン、界面構造、放射光X線分析

単層MoS₂/サファイア界面の原子スケール構造を、X線CTR散乱により非破壊解析した結果を報告する。真空加熱に伴う界面吸着種の脱離、MoS₂層の平坦化、およびS終端層形成について示し、高品質なvdW成長を支える界面構造について議論する。