講演情報
[8a-B32-6]フローティングゲート有機トランジスタメモリにおける光応答性記憶ダイナミクスの解析
〇清田 航太郎1、服部 秀政1、小林 隆史1,2、内藤 裕義1,2,3、永瀬 隆1,2 (1.阪工大工、2.阪公大 分子エレクトロニックデバイス研、3.立命館大 RISA)
キーワード：
有機トランジスタメモリ、ニューロモルフィック、インセンサ
近年、生体神経系に着想を得た情報処理技術が、高効率な情報処理を実現する技術として注目を集めている。本研究では、光応答型フローティングゲート有機トランジスタメモリのニューロモルフィック応用に向けた基礎検討として、光の波長や照射強度の違いが記憶特性にもたらす影響を解析した。その結果、光照射条件に応じて記憶ダイナミクスおよび保持特性が大きく変化することが示された。