[8a-N101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[8a-N101-1] 緑色発光InGaN/GaN量子ドットの時間分解PLの励起光強度依存性

〇中間 優斗¹、岩崎 陸¹、佐藤 克樹¹、荒井 光史郎¹、中山 悠太¹、竹内 淳¹、Ying Gong²、Wenxian Yang²、Shulong Lu² (1.早大先進理工、2.中国科学院, SINANO)

キーワード：

InGaN量子ドット、時間分解PL、励起光強度依存性

本研究では、プラズマ支援分子線エピタキシー法により作製したInGaN/GaN量子ドットを対象に、低温領域における時間分解PL測定を行った。励起光強度を16μWから2.25mWの範囲で変化させ、発光スペクトルおよびPL緩和時間の依存性を調べた。その結果、励起光強度増加に伴い長寿命発光成分の寄与の増大や短寿命発光成分の緩和時間の短縮が確認され、発光特性が励起光強度に依存することが明らかとなった。