講演情報
[8a-N101-11]InGaN 単一量子井戸および下地層付き量子井戸におけるカソードルミネッセンススペクトルイメージングによる空間発光特性評価II
〇(M2)辻井 大地1、福 隆之介1、赤瀬 善太郎1、岩満 一功1、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大)
キーワード：
カソードルミネッセンススペクトルイメージング、空間発光特性、量子井戸
Micro-LEDではチップの微小化に伴い、側壁加工ダメージ由来の非発光再結合の影響が増大するため、発光効率を左右するキャリア拡散長の精緻な評価が重要である。本研究では、InGaN単一量子井戸 (SQW)および下地層付き単一量子井戸 (SQW-UL) を対象に、カソードルミネッセンススペクトルイメージング (CL-SI) の測定を行い、暗点近傍の発光強度分布を比較評価した。その結果、本暗点では長波長側で、より長い実効キャリア拡散長が観測される傾向が示された。