講演情報
[8a-N101-4]InGaN MQWナノストライプ構造における発光特性の励起光強度依存性
〇片岡 生一1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)
キーワード：
ナノ構造
InGaNナノストライプ構造の発光増強機構の解明に向け、HEATE法で作製した試料のPL特性を広い励起光強度範囲で評価した。弱励起領域では歪緩和や非発光再結合の抑制により、未加工部比で最大約80倍の発光増強と短波長化が観測された。一方、強励起領域では非発光再結合中心の飽和やピエゾ効果のスクリーニング等により両者の差が消失し、ナノ加工による効果は低キャリア密度領域で顕著に顕在化した。