講演情報
[8a-N101-7]InGaN量子井戸におけるPL寿命スペクトル・マッピング測定
〇畑中 颯真1、山口 敦史1、岩満 一功2、冨谷 茂隆2 (1.金沢工大、2.奈良先端大)
キーワード：
マッピング測定、フォトルミネセンス寿命、キャリアダイナミクス
InGaN単一量子井戸に対してTRPLマッピング測定を行い、PLピーク強度・エネルギー・寿命の空間相関を解析した。同一試料内ではPLピークエネルギーの増加に伴いPL寿命が指数関数的に減少した一方、PL強度はほぼ一定であった。これは局在状態の統計分布を反映した結果と考えられる。一方、試料間ではIn組成増加に伴いPL強度が低下し、欠陥やQCSEの影響が示唆された。