[8a-PB3-1~5] 13.3 絶縁膜技術

[8a-PB3-1] SiN_x膜中のSi-H、N-Hボンドからの水素分子形成

〇奥 友希¹、西口 浩平¹、戸塚 正裕¹、中川 康幸¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：

分子形成、昇温脱離ガス分析、フーリエ赤外分光法

低温形成したSiNx膜の膜中での水素の拡散（移動）の活性化エネルギーが小さいのは水素分子が形成されるためであることを明らかにした。