セッション詳細

[8a-PB3-1~5]13.3 絶縁膜技術

2026年9月8日(火) 11:00 〜 12:30
PB3 (第2体育館)

[8a-PB3-1]SiNx膜中のSi-H、N-Hボンドからの水素分子形成

〇奥 友希1、西口 浩平1、戸塚 正裕1、中川 康幸1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)

[8a-PB3-2]水素プラズマ処理によるシリコン窒化膜の電子トラップ変調効果

〇西原 翼1、中川 清和1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)

[8a-PB3-3]Temperature Dependence on Pattern Recognition of Y-Doped AlN Memristors for the Applications in Neuromorphic Computing

〇JingEn Lin1, Yi Fu1, JerChyi Wang1,2,3 (1.Chang Gung Univ. for Chang Gung University, 2.Chang Gung Memorial Hospital, 3.Ming Chi Univ. of Tech for Ming Chi University of Technology)

[8a-PB3-4]AlScN/Al2O3/IGO 積層構造における閾値電圧変調の特異挙動

〇林 瑠唯1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大学)

[8a-PB3-5]極低温下におけるnMOSFET/pMOSFETの劣化挙動の相違とその機構

〇鈴木 葵人1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)