講演情報
[8a-PB3-2]水素プラズマ処理によるシリコン窒化膜の電子トラップ変調効果
〇西原 翼1、中川 清和1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
キーワード：
半導体、水素プラズマ処理、電子トラップ
シリコン窒化膜中の水素はトラップ準位を浅くし、電荷の横方向拡散を加速することが指摘されている。本研究では水素量の制御を目指し、SiO2/SiN積層構造へ水素プラズマ処理を行った。J-E特性からPoole-Frenkel解析を用いて電子トラップ準位を算出した結果、未処理1.2 eVから照射後は1.6 eVへと明確に深化し水素結合の解離によるトラップ特性の変調効果を実証した。