講演情報
[8a-PB3-5]極低温下におけるnMOSFET/pMOSFETの劣化挙動の相違とその機構
〇鈴木 葵人1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
キーワード：
半導体、極低温、固定電荷
近年、量子コンピューティングなどの分野において、Cryo-CMOS技術の重要性が高まっているが、極低温下におけるトランジスタの劣化メカニズムは完全には解明されていない。本研究では電気的ストレス下でpMOSFETとnMOSFETのId-Vg特性が劣化するメカニズムについて生成界面準位密度と生成固定電荷密度の関係性を実測データとシミュレーションで考察する。