2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(ポスター講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[8a-PB4-1~8]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年9月8日(火) 11:00 〜 12:30
PB4 (第2体育館)

[8a-PB4-1]GeSn系共鳴トンネルダイオードの界面平坦性改善による性能向上

〇柴山 茂久1、鳥本 昇汰1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[8a-PB4-2]メサ形状の急峻性がp-Ge1-xSnx/n-Geダイオードの電気特性に及ぼす効果

〇山本 慶1、柴山 茂久1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[8a-PB4-3]p型Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性におけるピーク対バレー電流比と繰り返し耐性の障壁膜厚依存性

〇石川 友志1、猪狩 秀1、小林 隆弘1、後藤 海渡1、渡辺 正裕1 (1.科学大工)

[8a-PB4-4]Ru薄膜のエピタキシャル成長に及ぼすAl2O3基板方位と温度の影響

〇冨岡 治樹1、今村 光佑1、常泉 聡史1、磯貝 直希1、中谷 友也2、大竹 充1 (1.横浜国大、2.NIMS)

[8a-PB4-5]Cu3N薄膜の反応性スパッタリング法によるエピタキシャル成長条件の検討

〇久保田 華鈴1、今村 光佑1、常泉 聡史1、磯貝 直希1、大竹 充1 (1.横浜国大)

[8a-PB4-6]バンドギャップモニタリングシステムを用いたIGZO薄膜の昇温脱離分析

〇青木 夏美1、木本 健嗣1、小林 清輝1 (1.電子科学（株）)
英語発表

[8a-PB4-7]High Temperature Operation and Reliability at 400oC of CMOS Operational Amplifier Circuits based on 4H-SiC

〇(D)Anh Dung Nguyen1, Kazutoshi Kojima2, Seiji Ishikawa1,3, Tomonori Maeda1,3, Hiroshi Sezaki1,3, Shin-Ichiro Kuroki1 (1.RISE, Hiroshima Univ, 2.AIST, 3.Phenitec Semiconductor Corp)
英語発表

[8a-PB4-8]4H-SiC Neutron Sensors for Boron Neutron Capture Therapy

〇(D)Ha Thi Vu1, Tatsuya Meguro1, Kazutoshi Kojima2, Hiroki Tanaka3, Shin-Ichiro Kuroki1 (1.RISE, Hiroshima Univ., 2.AIST, 3.KURNS, Kyoto Univ.)
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