講演情報
[8p-A13-10]LaTiO3/LaVO3強相関ヘテロ界面における電荷移動の抑制
〇相馬 拓人1、金 榮牛2、新津 甲大3、裵 星旻4、吉松 公平2、組頭 広志1、大友 明2 (1.東北大多元研、2.科学大物質理工、3.NIMS、4.横浜市大生命ナノシステム)
キーワード：
エピタキシャル成長、ペロブスカイト酸化物、二次元電子ガス
酸化物ヘテロ界面は電荷移動をはじめとする新奇物性発現の場として膨大な研究例がある。しかしながら，バンド絶縁体同士・Mott絶縁体/バンド絶縁体・金属/絶縁体界面と比較し，Mott絶縁体同士の界面に関する研究例は少ない。界面電荷移動は，バンドアラインメントを基礎とした法則や第一原理計算から予測が可能である。それらの予測により，LaTiO3/LaVO3というMott絶縁体同士の界面において，界面二次元電子ガスの生成などが理論的に提案された。しかしながら，シンプルな系にもかかわらずこれまで実験例は存在しない。そこで本研究では，LaTiO3/LaVO3ヘテロ構造を作製しその界面電子状態を評価した。