セッション詳細
[8p-A13-1~10]6.3 酸化物エレクトロニクス
2026年9月8日(火) 14:00 〜 16:45
A13 (情報研究棟)
[8p-A13-1]新規透明n型半導体β-TeO3の光・電気特性
〇半沢 幸太1、福永 朋孝1、Tianwei Wang1,2、大場 史康1,2,3、平松 秀典1,3 (1.東京科学大フロ研、2.神奈川県立産業技術総合研、3.東京科学大元素MDXセ)
[8p-A13-2]DCスパッタFe層の酸化により形成したα-Fe2O3薄膜へのSi添加効果
〇森本 YUTA 裕太1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
[8p-A13-3](La1-xSrx)VO3/n-Si接合界面における空乏層容量-電圧特性の評価
〇(M2)岩崎 光志1、高木 亮佑1、黒木 貫吾1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
[8p-A13-4]p型NiOx 薄膜におけるN並びにCuドーピングの効果
〇柴田 茉奈1、金 旼奭1、小口 有希2、井上 晴雲3、赤塚 有杜4、中澤 遼太郎4、吉田 弘幸4、石井 久夫4、前山 雄介5、竹森 俊之5、山口 武司5、渋川 昭彦5、重里 有三1 (1.青学大理工、2.青学大理工機器分析センター、3.千葉大融合理工、4.千葉大院工、5.新電元工業)
[8p-A13-5]高感度紫外光電子分光と低エネルギー逆光電子分光を用いたNiOxの電子構造観測
〇(DC)井上 晴雲1、中澤 遼太郎2、赤塚 有杜2、柴田 茉奈5、金 旼奭5、賈 軍軍6、重里 有三5、吉田 弘幸2,3、深川 弘彦2,3,4、石井 久夫2,3,4 (1.千葉大融合理工、2.千葉大院工、3.千葉大MCRC、4.千葉大先進、5.青学大理工、6.早大国際)
[8p-A13-6]EuTaO3エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性の電気伝導度依存性
〇大熊 光1、寺田 悠甫1、上野 和紀1 (1.東大院総合)
[8p-A13-7]固溶体緩衝層挿入よるLiV2O4/LiTi2O4界面の自発的Li移動の抑制
〇高嶋 秀1、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工)
[8p-A13-8]転換可視蛍光収量法を用いたオペランド透過型軟X線吸収分光測定〜リチウムイオン電池構造への応用〜
〇北村 未歩1、小林 成2、一杉 太郎2、堀場 弘司1 (1.QST NanoTerasuセンター、2.東大院理)
[8p-A13-9]4d遷移金属酸化物MoO2におけるスピン流生成
〇高藤 大悟1、上田 浩平1,2,3、塩貝 純一1,3、木田 孝則4、萩原 政幸4、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.阪大先端強磁場)
[8p-A13-10]LaTiO3/LaVO3強相関ヘテロ界面における電荷移動の抑制
〇相馬 拓人1、金 榮牛2、新津 甲大3、裵 星旻4、吉松 公平2、組頭 広志1、大友 明2 (1.東北大多元研、2.科学大物質理工、3.NIMS、4.横浜市大生命ナノシステム)
