講演情報
[8p-A13-3](La1-xSrx)VO3/n-Si接合界面における空乏層容量-電圧特性の評価
〇(M2)岩崎 光志1、高木 亮佑1、黒木 貫吾1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
キーワード：
遷移金属酸化物、強相関電子系、シリコン
豊かな物性を持つ強相関電子系(SCES)とSiの融合デバイスは多機能・高性能化が期待されているが、重要な接合界面のキャリア輸送は未解明であった。そこで我々は界面の酸化問題を解決し、SCESの(La1-xSrx)VO3をn-Si基板に接合し、C–V特性測定により空乏層形成を評価した。調査の結果、空乏層形成の抑制がみられ、界面に少数キャリア注入を妨げる障壁が存在する可能性が示唆された。