講演情報
[8p-A13-4]p型NiOx 薄膜におけるN並びにCuドーピングの効果
〇柴田 茉奈1、金 旼奭1、小口 有希2、井上 晴雲3、赤塚 有杜4、中澤 遼太郎4、吉田 弘幸4、石井 久夫4、前山 雄介5、竹森 俊之5、山口 武司5、渋川 昭彦5、重里 有三1 (1.青学大理工、2.青学大理工機器分析センター、3.千葉大融合理工、4.千葉大院工、5.新電元工業)
キーワード：
酸化ニッケル、p型酸化物、熱安定性
酸化物半導体は高い透明性と優れた電気特性を有するが、p型材料の実用化は依然として課題である。本研究ではp型酸化物半導体NiOに着目し、RFマグネトロンスパッタリング法により薄膜を作製した。酸素流量比およびCuドーピングの影響を検討した結果、酸素導入によりキャリア濃度が増加し、酸素流量比10 %で抵抗率は最小となった。さらに真空焼成後、Non-doped NiO薄膜では構造変化が生じたのに対し、Cu-doped NiO (Cu: 5 at. %) 薄膜では顕著な変化は見られず、耐熱性向上が確認された。