講演情報
[8p-A21-12]Si基板上エピタキシャルLaNiO3薄膜における水素化誘起熱伝導率スイッチング幅の結晶配向依存性
〇財前 遥1、李 好博1,2、中川原 修3、ジョン アロン4、太田 裕道4、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構、3.I-PEX Piezo Solutions Inc、4.北大電子研)
キーワード：
LaNiO3、シリコン基板、熱トランジスタ
高品質な機能性酸化物エピタキシャル薄膜のSi基板上への集積化は次世代デバイス実現に重要である。これまでに、Si基板上エピタキシャルLaNiO3薄膜において、水素化による可逆的熱伝導率変調を利用した熱トランジスタへの応用可能性を示してきた。本発表では、薄膜の結晶配向性を向上させることで、酸化物基板上と同様にSi基板上酸化物薄膜においても熱スイッチング性能が向上することを報告する。