講演情報
[8p-A21-18]In-situ XPS解析に基づくTa表面化学状態制御によるCu薄膜の低抵抗化
〇大野 幸亮1、町田 葉祐1、隣 嘉津彦1、野瀧 恭司2、十河 真生2、坂井 大輔2、藤村 修三2,3 (1.アルバック、2.アルバックファイ、3.東京科学大学)
キーワード：
Ta表面化学状態制御、In-situ XPS、半導体金属配線
本研究では、半導体金属配線への応用を見据え、Cu成膜前のTa表面にAr+O₂およびAr+N₂等のプラズマ処理を施し、表面化学状態が後続Cu膜の膜質に与える影響を評価した。In-situ XPSにより大気暴露なしでTa表面状態を解析し、界面化学状態の制御によりCu膜抵抗を約25%低減できることを確認した。