講演情報
[8p-A21-5]Mist CVD法を用いたCu3N成長におけるNH3を含むN2キャリアガスの検討
〇森田 梓希1、月岡 知里1、山口 智広1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大)
キーワード：
結晶成長、ミストCVD、窒化銅
Mist CVD法によるCu3Nの成長について, 原料溶液のpHに焦点を当てて検討した. 先行研究では時間の経過とともに原料溶液のpHの低下と粘度の増加が報告されている. また, 成長時間が60 minを超える長時間成長ではCu2Oの混入が確認されていた. 本研究ではMist CVD法によるCu3N成長中にNH3水溶液を通したN2キャリアガスを検討した. その結果, BCGはNH3の揮発を抑制し, 原料溶液のpHが安定した. これにより長時間成長において, 単一相Cu3N成長が可能となった.