[8p-A21-1~18] 6.4 薄膜新材料

15:15 〜 15:30

[8p-A21-7] PLD法による(0001)ScAlMgO₄上の超伝導体HfN薄膜の成長

〇田中 祐輔¹、Krockenberger Yoshiharu¹、眞田 治樹¹、新田 淳作^1,2、国橋 要司¹ (1.NTT物性研、2.東北大学)

キーワード：

超伝導体、窒化物、薄膜

本研究では、PLD法によりSCAM基板上へHfN薄膜を作製し、成長条件と結晶性・電気輸送特性の関係を評価した。条件最適化によりHfN(111)配向薄膜の成長に成功し、RRR≈3.0の金属的伝導性とT_c≈8.6 Kの超伝導転移を観測した。