2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[8p-B11-1~16]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2026年9月8日(火) 14:00 〜 18:30
B11 (工学部 B棟)
14:00 〜 14:15

[8p-B11-1]プラズマ原子層酸化 ～酸化温度と飽和・自己停止～

〇布村 正太1、鎌滝 晋礼2、白谷 正治2 (1.産総研、2.九大)
14:15 〜 14:30

[8p-B11-2]酸化膜プラズマエッチング～イオン種、保護膜とダメージ緩和～

〇布村 正太1、今井 祐輔2、HSIAO Shih-Nan2、堤 隆嘉2、堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[8p-B11-3]過渡電流解析による絶縁膜へのプラズマダメージ定量評価：ΔQdcts法

〇関 馨1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[8p-B11-4]TiN成膜後の窒素ラジカル処理によるhigh-k/Metal gateゲートスタック界面構造変化の解明

〇矢野 瑞紀1、城戸 ほの佳1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[8p-B11-5]窒素ラジカル後処理によるHigh-kゲート絶縁膜の絶縁破壊モード変化と処理時間依存性

〇(M2)城戸 ほの佳1、矢野 瑞紀1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[8p-B11-6]電子線支援 GaN 表面フッ化改質の電子線エネルギー依存性

〇(M2)島津 大隼1、堤 隆嘉2、関根 誠2、井上 健一2、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大プラズマ)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[8p-B11-7]Si/SiGe の選択的等方性エッチングのための SiGe 表面における酸素ラジカルの反応特性調査

〇(M1C)岩田 大和1、堤 隆嘉2、牧原 克典1、Yamamoto Yuji3、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[8p-B11-8]NF3系プラズマを用いたSiOCN高選択エッチングにおける添加O2効果

〇郷矢 崇浩1、深沢 正永1、林 喜宏1 (1.産総研　先端半導体研究センター)
16:15 〜 16:30

[8p-B11-9]再配線層応用に向けたポリイミドのドライエッチング特性の解析

〇細田 凌我1、栗田 洋一郎2、井上 健一1、堤 隆嘉1、石川 健治1 (1.名大院工、2.科学大)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[8p-B11-10]微細ACLパターンにおけるWiggling発生メカニズムの解析

〇笠井 大雅1、松井 都2、三浦 真1、桑原 謙一1 (1.日立ハイテク、2.日立研開)
16:45 〜 17:00

[8p-B11-11]CHF2CHFCHF2の電子物性と解離特性

〇林 俊雄1、石川 健治1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名古屋大学)
17:00 〜 17:15

[8p-B11-12]CHF2CF2CH2F分子の電子物性と解離

〇林 俊雄1、石川 健治1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名古屋大学)
17:30 〜 17:45

[8p-B11-13]プラズマ・材料情報科学に基づく機械学習によるSiO2膜エッチングレート予測モデルの評価

〇(M2)長嶺 一輝1,2、S.W Fitriani2、堤 隆嘉3、白谷 正治1、鎌滝 晋礼1 (1.九大シス情、2.九大JGMI、3.名大低温プラズマ)
17:45 〜 18:00

[8p-B11-14]形状シミュレーションとロバストベイズ最適化を用いた酸化膜埋め込み条件の効率的な探索

〇中山 沢陽1、横田 怜1 (1.キオクシア先端研)
18:00 〜 18:15

[8p-B11-15]構造特徴量に基づく低圧ICPコイル設計のサロゲート学習と最適化

〇川人 大希1、林 航希1、斉藤 友貴哉1、茂木 弘典1 (1.東京エレクトロン株式会社)
18:15 〜 18:30

[8p-B11-16]低圧プラズマに対するサロゲートモデル構築とシミュレーションとの連成による条件探索高速化

〇林 航希1、川人 大希1、斉藤 友貴哉1、茂木 弘典1 (1.東京エレクトロン株式会社)
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