講演情報
[8p-B11-5]窒素ラジカル後処理によるHigh-kゲート絶縁膜の絶縁破壊モード変化と処理時間依存性
〇(M2)城戸 ほの佳1、矢野 瑞紀1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
キーワード：
窒素ラジカル、リーク電流、絶縁破壊
ナノシートトランジスタへの適用を想定し, TiNゲート電極形成後のHigh-kゲートスタックに対し窒素ラジカルを照射した. 窒素ラジカルの照射時間によって, 低電圧側, 中電圧側の絶縁破壊が選択的に抑制された. この結果は, 窒素ラジカルは絶縁破壊に寄与する欠陥を一様に低減するのではなく, 照射時間に応じて異なる絶縁破壊モードを選択的に抑制することを示している. 講演では, HfSiOx中の欠陥状態と窒素ラジカル照射時間との関係について報告する.