[8p-B11-1~16] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[8p-B11-6] 電子線支援 GaN 表面フッ化改質の電子線エネルギー依存性

〇(M2)島津 大隼¹、堤 隆嘉²、関根 誠²、井上 健一²、石川 健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

キーワード：

原子層エッチング、電子線、窒化ガリウム

次世代パワー半導体材料のGaNトランジスタ実現に向け、電子線（EB）支援原子層エッチング（ALE）のフッ化改質メカニズムをXPSで解析した。EBエネルギーを50〜1000 eVに変えて評価した結果、EBエネルギーに伴う表面改質膜の構造変化や、500 eV以上でGa-F3が増加しない現象を確認した。これはEB侵入深さの依存性やフッ素反応種の拡散限界が原因とみられ、EBエネルギーが膜構造を決定するパラメータだと示唆された。