[8p-B11-1~16] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[8p-B11-7] Si/SiGe の選択的等方性エッチングのための SiGe 表面における酸素ラジカルの反応特性調査

〇(M1C)岩田 大和¹、堤 隆嘉²、牧原 克典¹、Yamamoto Yuji³、石川 健治² (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik)

キーワード：

SiGe、酸素ラジカル、X線光電子分光法

次世代GAAFETのSi/SiGeナノシート形成には、高選択かつ等方的なエッチング技術が求められる。本研究では、HF処理で自然酸化膜を除去したSiGe表面に酸素ラジカルを照射し、in-situ XPSにより酸化状態を評価した。その結果、Ge 3dではSi 2pより酸化結合成分の割合が大きく、Geを含む結合を起点に酸化が進行しやすいことが示唆された。この差は選択性制御に関わる可能性がある。