[8p-B21-1~10] 【一般公開】先端ロジック半導体、Si-GAAからCFET、そしてその先へ

14:35 〜 15:05

[8p-B21-4] 次世代半導体デバイスに向けた二次元材料研究の進展と課題

〇宮田 耕充¹ (1.NIMS)

キーワード：

二次元物質、遷移金属ダイカルコゲナイド

本講演では、代表的な二次元半導体である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)に関する研究動向と次世代半導体デバイス応用に向けた課題を概説する。さらに、成長、ヘテロ接合形成、構造・物性評価、欠陥・ドーピング制御などに関する私たちの最近の研究成果を紹介する。