講演情報
[8p-B21-6]新構造・新材料トランジスタにおけるTCADシミュレーション
〇植田 暁子1 (1.産総研)
キーワード：
TCADシミュレーション、二次元半導体、マルチスケールシミュレーション
オングストロームノードの新材料・新構造トランジスタでは、材料特性や構造の複雑性により、従来のTCADでは十分な解析が困難である。本講演では、第一原理計算からボルツマン輸送方程式に基づく手法までを連携したマルチスケール解析の枠組みを紹介する。さらに、新材料トランジスタ、特に二次元半導体においてコンタクトやゲート酸化膜と半導体の界面が輸送特性に与える影響を明らかにし、それらを反映したTCADモデル化について議論する。