講演情報
[8p-B21-7]Si-GAAからCFETへの進化を支える前工程対応レイヤートランスファー技術：IRレーザー層剥離とハイブリッド／フュージョン接合による3次元集積技術の展望
〇山本 宏1 (1.EVGroup)
キーワード：
レイヤートランスファー、IRレーザー層剥離、ハイブリッド接合・フュージョン接合
CFETや裏面電力供給など新構造の製造技術確立のため、極薄層の高精度レイヤートランスファーと3次元集積技術が不可欠となる。本講演では、IRレーザーを用いたナノメートル精度の層剥離技術と、ハイブリッド／フュージョン接合を組み合わせた革新的プロセスを紹介し、次世代半導体に向けた技術展望を示す。