セッション詳細

[8p-E218-1~12]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2026年9月8日(火) 13:30 〜 16:45
E218 (総合教育棟 E棟)

[8p-E218-1]GaNAs量子井戸で挟まれたGaInNAs量子井戸における円偏光発光特性の印加電圧依存性

〇中舘 恭太1、木瀬 寛都1、森田 彩乃1、多川 英汰1、鈴木 悠馬1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)

[8p-E218-2]InGaAs量子ドットと窒素組成を変えたGaNAs量子井戸のトンネル結合構造におけるスピン偏極増幅ダイナミクスの定量的評価

〇鈴木 悠馬1、木瀬 寛都1、森田 彩乃1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)

[8p-E218-3]InAs/InAsSb量子ドットネットワーク構造におけるキャリア輸送機構

〇(M2)甲斐 涼雅1、成子 慶洋1、中村 遼太1、山口 浩一1,2 (1.電通大基盤理工、2.電通大量子デバイスセンター)

[8p-E218-4]通信波長帯液滴エピタキシー成長量子ドットの光子相関

〇黒田 隆1、間野 高明1、迫田 和彰1 (1.NIMS)

[8p-E218-5]Ge QDs/Siマイクロブリッジ共振器の形成と発光スペクトル解析

〇大塚 直樹1、澤野 憲太郎1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大学)

[8p-E218-6]金属コート探針の近接場効果を用いた単一ペロブスカイト量子ドットの発光ダイナミクス制御

〇松尾 真於1、山田 琢允2、猿山 雅亮2、寺西 利治2、金光 義彦2、片山 郁文1、田原 弘量1 (1.横国大院理工、2.京大化研)

[8p-E218-7]InAsナノワイヤの熱処理による微細化の検討

〇八宮 道馬1,2、東 佑樹1,2、谷山 慶太1,2、本久 順一1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大、2.RCIQE)

[8p-E218-8]SOI上の変調ドープ型InGaAsナノワイヤ/Si接合縦型ゲートオールアラウンドトンネルFETの評価

〇藤本 開1,2、谷山 慶太1,2、東 佑樹1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大、2.RCIQE)

[8p-E218-9]Cu2-xSナノディスク超格子デバイスの作製と光電応答の計測

〇藤井 陽平1、山田 琢允2、猿山 雅亮2、寺西 利治2、金光 義彦2、片山 郁文1、田原 弘量1 (1.横国大院理工、2.京大化研)

[8p-E218-10]InAs/AlGaSb単一量子井戸における持続的光伝導による可逆的電子濃度制御

〇(M1C)石橋 健太1、秋保 貴文2、入江 宏2、中澤 佑介2、熊田 倫雄2、村木 康二2、鈴木 恭一1 (1.福岡工大工、2.NTT物性基礎研)

[8p-E218-11]オンチップテラヘルツ光共振器とゲート制御型半導体量子ドットのコヒーレント結合

〇黒山 和幸1、黄 靖1、權 晋寛2、都倉 康弘3、荒川 泰彦2、平川 一彦1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.日本女子大)

[8p-E218-12]単一ペロブスカイト量子ドットトランジスタにおける電気伝導と低周波ノイズ

〇柴田 憲治1、高橋 央輔1、滝口 智稀1、阿部 耀平1、大塚 朋廣2 (1.東北工大、2.東北大WPI-AIMR)