講演情報

16:00 〜 16:15

[8p-E218-10]InAs/AlGaSb単一量子井戸における持続的光伝導による可逆的電子濃度制御

〇(M1C)石橋健太¹、秋保貴文²、入江宏²、中澤佑介²、熊田倫雄²、村木康二²、鈴木恭一¹ (1.福岡工大工、2.NTT物性基礎研)

キーワード：

InAs量子井戸、持続的光伝導、電子濃度制御

低温(1.4 K)においてInAs/AlGaSb単一量子井戸に可視LEDと赤外LEDを照射し，持続的光伝導効果による電子濃度変化を調べた．電子濃度は可視LED照射で1.1x10¹⁵ m^-2まで減少し，赤外LED照射で7.4x10¹⁵ m^-2まで増加した．可視と赤外を交互に照射することで，広い範囲で可逆的な電子濃度制御が実現できた．

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