講演情報
[8p-E218-2]InGaAs量子ドットと窒素組成を変えたGaNAs量子井戸のトンネル結合構造におけるスピン偏極増幅ダイナミクスの定量的評価
〇鈴木 悠馬1、木瀬 寛都1、森田 彩乃1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
キーワード：
スピンダイナミクス、希薄窒化物半導体、フォトルミネッセンス
InGaAs量子ドットと希薄窒化GaNAs量子井戸のトンネル結合構造は、室温において電子スピン偏極の増幅機能を有する。本研究では、窒素組成変調により結合エネルギー準位を調整した試料を作製し、室温での時間分解円偏光発光特性に対してレート方程式解析を行った。その結果、結合エネルギー準位が共鳴する条件下において少数個スピンの選択的捕獲が著しく促進され、高いスピン偏極度を高速にもたらすことを明らかにした。