講演情報
[8p-E219-1]シリコン並走バレーエッジチャネル干渉計に向けたバレー間遷移ゲート変調の検討
〇山端 元音1、清水 貴勢1 (1.NTT物性研)
キーワード：
シリコン、量子ホール、バレー
量子ホールエッジチャネルを用いたマッハツェンダー干渉計（MZI）は、高感度磁気センサや飛行量子ビットへの応用が期待される。今回、シリコンのバレー自由度を用いたMZIを提案し、そのビームスプリッター（BS）部の並走バレーエッジチャネル間遷移の評価を報告する。BS部で強いバレー間混合が生じ、ゲート電圧により混合率を制御可能であることを確認した。シリコン系バレーベースMZI実現への基礎的知見を提供する。