講演情報
[8p-E219-4]傾斜蒸着法と蒸着時エレクトロマイグレーション法を組み合わせた自己整合 sub 1nm 幅ナノギャップ形成手法の開発
〇船田 惇平1、菅 洋志1、島 久2、内藤 泰久2 (1.千葉工大、2.産総研)
キーワード：
ナノギャップ電極
従来のエレクトロマイグレーション（EMEV）法によるナノギャップ形成では、プロセス中の発熱による基板ダメージが課題であった。本研究では、傾斜蒸着法とEMEV法を組み合わせた「s-EMEV法」を提案する。母構造の側壁をマスクとした自己整合的なギャップ形成により、構造変化領域を基板から分離し熱影響を抑制した。実験の結果、従来の急峻な電流降下や広範な破断が低減され、低ダメージなsub-1nmギャップ形成プロセスとしての有用性が示された。