講演情報
[8p-E219-8]機械学習を用いたSi MOSFETの非破壊評価に向けた動作不良デバイスモデルの検討
〇(DC)呂 任翔1、山口 彪斗1、谷田部 然治1、葛西 誠也1 (1.北大 量集センター)
キーワード：
半導体、機械学習、界面トラップ
半導体デバイスの信頼性や歩留まり改善において、非破壊でデバイスの内部状態を評価する技術は有用である。これまで我々は半導体デバイス非破壊評価に向け、Si MOSFETの内部情報を電気的特性から推定する手法を検討してきた。本研究では、当該手法をSi MOSFETの内部状態評価へ展開するため、代表的な非理想要因である界面トラップに着目し、デバイスシミュレーションにより界面トラップとドレイン電流を評価した。