セッション詳細

[8p-E301-1~22]21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年9月8日(火) 12:15 〜 18:30
E301 (総合教育棟 E棟)

[8p-E301-1]MBE法によりMgxZn1-xO薄膜を積層したZnO圧力センサの圧力応答評価

〇遠藤 治之1 (1.東北学院大)

[8p-E301-2]岩塩構造MgZnOのバンド端近傍発光における熱消光の組成依存性

〇田中 恭輔1、小川 広太郎1、太田 優一2、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.富山県立大学)

[8p-E301-3]MgO中Al置換欠陥の電荷状態変化に伴う格子緩和の配位座標評価

〇太田 優一1、尾沼 猛儀2 (1.富山県立大、2.工学院大)

[8p-E301-4]ミストCVD法によるMgO薄膜へのLi添加の検討

〇穂坂 拓実1、中島 三四郎1、田中 恭輔1、小川 広太郎1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)

[8p-E301-5]RFマグネトロンスパッタ法で成膜したLiドープNiO薄膜の耐熱性評価

〇(M1)松井 駿弥1、安田 晴信1、宮本 広信2、佐々木 公平2、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

[8p-E301-6]NiO/β-Ga2O3接合のNiO上に櫛形電極をもつ紫外光センサ

〇中込 真二1、千葉 陽太1 (1.石巻専修大理工)

[8p-E301-7]ミストCVD法によるα-Cr2O3テンプレート上のα-(Al,Ga)2O3薄膜の成長

〇神野 莉衣奈1、肖 世玉2、大島 孝仁3、岩本 敏1、村上 和仁2、今井 克宏2、冨田 克宏2 (1.東大、2.日本ガイシ(株)、3.NIMS)

[8p-E301-8]c面α-(Cr0.8Fe0.2)2O3テンプレート上のα-Ga2O3のハライド気相成長

〇大島 祐一1、大島 孝仁1、肖 世玉2、村上 和仁2、今井 克宏2、冨田 崇弘2 (1.NIMS、2.NGK)

[8p-E301-9]ミストCVD法による α-Cr2O3テンプレート上α-Ga2O3成膜の溶液条件検討

〇飯田 隆真1、肖 世玉2、村上 和仁2、照喜名 朝人1、西尾 宗真1、中鉢 陽向1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、今井 克宏2、冨田 崇弘2、山口 智広1 (1.工学院大学、2.NGK(株))

[8p-E301-10]電子分光法を用いたSiドープα-(AlGa)2O3のバンド構造解析

〇奥山 優太1、奥村 宏典1 (1.筑大数理)

[8p-E301-11]ミストCVD法によるGa2O3生成過程の量子化学的解析

〇島崎 光史1、藤田 静雄1、金子 健太郎2、高橋 勲2、田中 勝久1 (1.京大、2.立命館大)

[8p-E301-12]4H-SiC 基板上にミストCVD法を用いて成長した酸化ガリウム薄膜の構造評価(2)

大宅 泰生1、〇宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)

[8p-E301-13]ミストCVD法により成長した不純物低減β-Ga2O3薄膜を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの電気的特性

〇磯部 優貴1、山本 裕貴2、若松 岳1、清水 成宜2、西野入 隆3、水越 健輔3、太子 敏則4、干川 圭吾4、藤田 静雄1、金子 健太郎5、高橋 勲5、田中 勝久1 (1.京大、2.オキサイド、3.セラテックジャパン、4.信州大学、5.立命館大)

[8p-E301-14]Mist CVD法による(010) β-Ga2O3の成長におけるミスト供給方法が与える影響

〇(M2)齊藤 星1、杉谷 諒1、山口 智広1、山中 颯太1、佐々木 公平2、倉又 朗人2、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

[8p-E301-15](−102), (512)面β型酸化ガリウム基板のTMAHウェットエッチング特性

〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)

[8p-E301-16]HVPE成膜β-Ga2O3ホモエピ膜の2.5eV光学欠陥準位の熱的挙動

〇中野 由崇1、勝部 大樹2、小川 貴史2、石川 由加里2、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.中部大工、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)

[8p-E301-17]縦型β-Ga2O3 SBDにおけるサージ電流耐量評価と面方位依存性

〇田屋 昌樹1、湯田 洋平1、海老原 洪平1、酒井 隆司1、伊庭 義騎2、寺内 悠真2、熊谷 義直2 (1.三菱電機、2.東京農工大院工)

[8p-E301-18]β-Ga2O3表面に形成したNイオン注入CBL のリーク発光特性

〇海老原 洪平1、林田 哲郎1、野口 宗隆1、酒井 隆司1、田中 梨菜1、田屋 昌樹1、綿引 達郎1 (1.三菱電機)

[8p-E301-19]窒素イオン注入により形成したβ-Ga2O3電流遮断層における逆バイアスリーク電流のヒステリシス

〇野口 宗隆1、林田 哲郎1、海老原 洪平1、田屋 昌樹1、綿引 達郎1 (1.三菱電機(株) 先端技術総合研究所)

[8p-E301-20]熱刺激電流法を用いたMg/N共注入β-Ga2O3における深い準位の評価

〇高根 倫史1、山下 侑佑1、Fenfen Fenda Florena2、宮本 広信2、佐々木 公平2、菊田 大悟1 (1.豊田中研、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

[8p-E301-21]MBE法による(AlxGa1-x)2O3成長の第一原理・熱力学的検討

〇富樫 理恵1、寺内 悠真2、草場 彰3、東脇 正高4、熊谷 義直2 (1.上智大理工、2.東京農工大院工、3.九大応力研、4.大阪公立大院工)

[8p-E301-22]自律スパッタ法による高品質β-Ga2O3エピタキシー

〇若林 勇希1、小川 友以1、Romero Franz Benedict1、大塚 琢馬2、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性研、2.NTT CS研)