[8p-E301-1~22] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30

[8p-E301-12] 4H-SiC 基板上にミストCVD法を用いて成長した酸化ガリウム薄膜の構造評価(2)

大宅 泰生¹、〇宇野 和行¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD、炭化ケイ素

Ga₂O₃の熱伝導率の低さやp型化の困難さの克服を目指し、4H-SiC基板上へのGa₂O₃結晶成長をミストCVD法により行った。HF洗浄後に表面親水化処理を施した4H-SiC(0001)基板上に700℃で成長した結果、β-Ga2O3単相膜が得られた。X線回折からβ-Ga₂O₃(20-2)の6回の回転ドメイン形成を確認し、DFM測定ではRMS粗さ0.80 nmの平坦な表面を示した。以上より、SiC基板上では表面処理の最適化により単相Ga₂O₃膜の成長が可能であることが明らかとなった。