[8p-E301-1~22] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:00 〜 16:15

[8p-E301-14] Mist CVD法による(010) β-Ga₂O₃の成長におけるミスト供給方法が与える影響

〇(M2)齊藤 星¹、杉谷 諒¹、山口 智広¹、山中 颯太¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

薄膜成長、Ga2O3、ミストCVD