講演情報
[8p-E301-17]縦型β-Ga2O3 SBDにおけるサージ電流耐量評価と面方位依存性
〇田屋 昌樹1、湯田 洋平1、海老原 洪平1、酒井 隆司1、伊庭 義騎2、寺内 悠真2、熊谷 義直2 (1.三菱電機、2.東京農工大院工)
キーワード：
酸化ガリウム、Ga2O3
異なる基板厚および結晶方位を有するβ-Ga2O3エピタキシャル基板上にSBDを作製・評価し、基板厚および面方位がデバイスのサージ電流耐量に与える影響を検討した。熱伝導率が最も高い[010]方位を放熱方向とすることができる(010)面基板では、薄板化と組み合わせることでサージ電流耐量を効果的に向上させ得ることを示し、デバイス応用に向けた(010)面基板の有用性を実証した。