講演情報
[8p-E301-18]β-Ga2O3表面に形成したNイオン注入CBL のリーク発光特性
〇海老原 洪平1、林田 哲郎1、野口 宗隆1、酒井 隆司1、田中 梨菜1、田屋 昌樹1、綿引 達郎1 (1.三菱電機)
キーワード：
酸化ガリウム、Ga2O3、CBL
β-Ga2O3デバイスではp型のドーピング制御が困難なため、p型層の代替として、イオン注入により形成したディープアクセプタ層をCBL（Current Blocking Layer）として用いた縦型MOSFETが提案されている。第73 回春季学術講演会において、窒素（N）注入により形成したCBL-TEG（Test Element Group）では、リーク電流が流れる際に発光が観測されることを報告した。今回、リークおよび発光に関するメカニズムの解明に向けて、発光スペクトルの解析を行った。