講演情報
[8p-E301-19]窒素イオン注入により形成したβ-Ga2O3電流遮断層における逆バイアスリーク電流のヒステリシス
〇野口 宗隆1、林田 哲郎1、海老原 洪平1、田屋 昌樹1、綿引 達郎1 (1.三菱電機(株) 先端技術総合研究所)
キーワード：
酸化ガリウム、ヒステリシス、リーク電流
窒素イオン注入により形成したβ-Ga₂O₃電流遮断層における逆バイアスリーク電流のヒステリシスに着目し、光照射後にI-V測定とI-t測定を実施した。この結果、光照射直後の逆バイアスリーク電流の過渡応答は必ずしも単調に減少しないことを見出した。これは、ヒステリシスがCBL中の準位における電子の捕獲・放出過程に起因することを示唆する。